Tjenestehotell
+ 86 0755-83044319
type:N-kanal
VdSS: 30V
Id: 160A
Pd:50W
RDS (på)@Vgs,Id:1.6mΩ@10V,20A
Vgs(th)@Id:1.6V@250μA
● Beskrivelse:
SL160N03Q N-Channel Enhancement MOSFET PDFN-8L(5x6) er designet for krevende bruksområder der effektivitet og pålitelighet er avgjørende. Dette MOSFET har en maksimal dreneringskildespenning på 30V og en betydelig kontinuerlig dreneringsstrømkapasitet på 160A, noe som gjør den ideell for svitsjeoppgaver med høy effekt.
● Egenskaper:
● VDS=30V,ID= 160A
● RDS(ON)TYP = 1.6 mΩ @VGS = 10V
● RDS(ON)TYP = 2.3 mΩ @VGS = 4.5V
● Svært lav på-motstand RDS(ON)
● LowCrss
● Rask veksling
● 100 % skredtestet
● Forbedret dv/dt-kapasitet
● Påføring:
● PWM-applikasjon
● Last bryter
● Power Management
Site Map | 萨科微 | 金航标 | Slkor | Kinghelm
RU | FR | DE | IT | ES | PT | JA | KO | AR | TR | TH | MS | VI | MG | FA | ZH-TW | HR | BG | SD| GD | SN | SM | PS | LB | KY | KU | HAW | CO | AM | UZ | TG | SU | ST | ML | KK | NY | ZU | YO | TE | TA | SO| PA| NE | MN | MI | LA | LO | KM | KN
| JW | IG | HMN | HA | EO | CEB | BS | BN | UR | HT | KA | EU | AZ | HY | YI |MK | IS | BE | CY | GA | SW | SV | AF | FA | TR | TH | MT | HU | GL | ET | NL | DA | CS | FI | EL | HI | NEI | PL | RO | CA | TL | IW | LV | ID | LT | SR | SQ | SL | UK
Copyright ©2015-2022 Shenzhen Slkor Micro Semicon Co., Ltd